|
標(biāo)簽：
如果只丟失一位數(shù)據(jù)，內(nèi)存控制器可運(yùn)用反向校驗(yàn)算法計(jì)算校驗(yàn)和數(shù)據(jù)恢復(fù)丟失的比特。校驗(yàn)和數(shù)據(jù)物理存儲在正在運(yùn)行的DRAM設(shè)備上。.所有8個校驗(yàn)和比特都用來恢復(fù)丟失的數(shù)據(jù)。
對于有糾正一位錯誤和校驗(yàn)雙位錯誤（SEC/DED）功能的標(biāo)準(zhǔn)72/64漢明碼，只有單比特錯誤是不會導(dǎo)致運(yùn)用反向校驗(yàn)算法和整個系統(tǒng)故障。
前一個例子顯示E啟動CC單個SDRAMDIMM的可能排列方案。對于一些64位數(shù)據(jù)，DIMM里每個數(shù)據(jù)DRAM設(shè)備寫入4位數(shù)據(jù)。當(dāng)然，這個DIMM是用x4DRAM構(gòu)建的。
數(shù)據(jù)寫入的實(shí)際順序由內(nèi)存控制器和電路板布線決定。每一位可有多種存儲排列方式。然而，這個與要求無關(guān)緊要。ECC保護(hù)的基本要求仍然存在。那即是，對于一個64位數(shù)據(jù)段，需要有8個附加位校驗(yàn)空間用以存儲校驗(yàn)和。
在存儲時，當(dāng)已經(jīng)知道64位的值，內(nèi)存控制器計(jì)算64位的校驗(yàn)和，并把校驗(yàn)和連同數(shù)據(jù)一道寫入內(nèi)存。在讀取時，內(nèi)存控制器把64數(shù)據(jù)位和8個校驗(yàn)位一同讀回。然后重新計(jì)算8個校驗(yàn)位并與讀取的校驗(yàn)位比較。比較結(jié)果叫做校驗(yàn)子被用來確定是否出錯。一個標(biāo)準(zhǔn)的72/64漢明碼能糾正任何一位錯誤和校驗(yàn)任何雙位錯誤。校驗(yàn)和與數(shù)據(jù)存儲到兩個DRAM設(shè)備上的4位塊里。因而不能有超過4位任何64位數(shù)據(jù)段在DRAM上連續(xù)協(xié)同定位。
|
